RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
3687
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link