RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
2994
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link