RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
29
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.9
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1691
2889
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link