RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2075
2898
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link