RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
42
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2075
2245
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link