RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
3592
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link