RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
2539
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link