RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
2841
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Inmos + 256MB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link