RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
3366
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link