RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2083
1773
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link