RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3514
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link