RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
3102
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link