RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2431
2583
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston ACR256X64D2S800C6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link