RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3459
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link