RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3736
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link