RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3446
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link