RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2601
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link