RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
37
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2863
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link