RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3651
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link