RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
3810
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link