RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
45
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
2414
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link