Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 45
    Wokół strony 20% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 10
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 45
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 10.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.5 left arrow 8.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2292 left arrow 2414
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania