RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
81
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
81
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1651
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5293-016.A00LF 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link