RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
66
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2292
1934
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link