RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
874.3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
81
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
81
28
Prędkość odczytu, GB/s
1,885.7
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
874.3
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
277
3550
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5315-012.A00LF 512MB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link