RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1966
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link