RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3379
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link