RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3379
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link