RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3017
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link