RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3091
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link