RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
54
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2571
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link