RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2951
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link