RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2951
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link