RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
54
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2263
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333S364L9/8G 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link