RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2994
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link