RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3418
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link