RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
54
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2965
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link