RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3081
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link