RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3336
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link