RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2307
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link