RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
54
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2703
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link