RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2774
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link