RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2913
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link