RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
54
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2490
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link