RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1511
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA1600C11V2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link