RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1511
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link