RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.7
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
9.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1767
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link