RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
54
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2128
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link