RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3042
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link