RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3109
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA4-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link