RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
54
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3198
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link