RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
54
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
1890
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link