RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
68
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3286
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link