RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
68
Wokół strony -134% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,540.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,636.8
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
827
3434
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link